XICRU™ 感應爐坩鍋

XICRU™ 感應爐坩鍋

XICRU™ 感應爐坩鍋
我們的感應爐坩鍋是針對電磁熔解的嚴苛熱及電磁條件而設計。這些坩鍋有助於低溫鋁合金熔煉和高溫銅、金、銀精煉。材料成分允許高頻感應加熱,使熱量均勻分佈而無熱損失。

XICRU® 屬性

  • 溫度範圍 620-1400 °C
  • 最大直徑 1525 mm x 高度 1050 mm!
  • 我們的系列感應爐坩鍋在鋁、銅、金、銀和稀有金屬的冶煉中運作良好。
  • 低熱膨脹係數 (4.1×10-⁶/°C)。
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產品說明

載入器圖示

我們的坩鍋可降低金屬或低電阻陶瓷材料的渦流損失,減少能源浪費。

在批次一致性和正常運行時間非常重要的工業環境中,熱導率可加快熔化週期,提高效率。此外,坩鍋的機械完整性可避免高感應電流造成的結構變形,以達到長期穩定性。

我們針對感應頻率、線圈幾何形狀和熔煉負荷定制坩鍋。材料的內部微觀結構可降低熱膨脹失配,而熱膨脹失配會在重複加熱和冷卻循環下引發早期失效。與傳統的耐火材料不同,我們的坩堝具有多相複合基質,可在高溫下抵抗快速氧化。這可確保在氬氣保護和開放式氣氛熔化條件下的耐用性。

我們還會調整碳化矽-石墨結構的晶粒取向,以提高導電性和避免局部過熱。因此,我們的坩鍋可提供穩定的熱反應,以降低每個熔解週期的能耗,並在整個製程中保持金屬純度。

節能材料組合

We use a hybrid formulation of silicon carbide, graphite, and high-purity refractory oxides for low resistive heating losses and high mechanical strength. Our crucibles have a bulk density above 2.22 g/cm³, which boosts heat retention and inhibits excessive mass heating. The modulus of rupture exceeds 7.2 MPa for resistance to mechanical and thermal stress. The thermal conductivity of 45 W/mK confirms that heat moves evenly across the crucible to avoid localized hotspots that could cause early degradation. Additionally, the low porosity (<14%) lowers metal contamination risks to preserve precious metal alloys during high-temperature operations.

針對不同金屬類型和感應頻率量身打造

感應爐的工作頻率從 50 Hz 到幾 kHz 不等,視加工的金屬而定。我們的坩鍋可減少低頻應用中的介質損耗,並防止過高的導電性,以免在較高頻率下造成線圈短路。對於低溫鋁合金冶煉 (620-920°C),我們優化了材料,以抵抗鋁與耐火材料表面的腐蝕反應,從而減少污染。對於高溫銅、金和銀熔解 (900-1400°C),我們使用反應結合碳化矽加強坩鍋結構,以抵抗熱震盪和焊劑引起的侵蝕。

熔融溫度範圍:620 - 1400°C

我們所設計的坩鍋可處理各種金屬和精煉技術的相容性。620°C 的最低工作溫度有助於熔化鋁合金和鋅合金而不會造成熱損失。1400°C 的最高臨界溫度則支援需要較高熱穩定性的銅基合金、金、銀和稀有金屬的熔煉。為了承載此範圍,我們的坩鍋具有約 4.5 × 10-⁶ K-¹ 的熱膨脹係數,可避免在快速加熱和冷卻週期中發生結構破裂。這可讓操作人員在不同的金屬負載之間切換,而無需經常更換坩鍋,從而降低閒置時間和工作成本。

XICRU™ 等靜壓碳化矽/碳坩鍋

財產 值/範圍 百分比 注意事項
碳含量 (C) 39-42 坩鍋材料中碳的百分比
碳化矽含量 (SiC) 26-30 材料中碳化矽的百分比
二氧化矽含量 (SiO2) 19-25 材料中二氧化矽的百分比
氧化鋁含量 (Al203) 7-10 材料中氧化鋁的百分比
折射率 <1400 °C 坩鍋可承受的最高溫度
表觀孔隙率 <14.0 孔隙率,表示滲透性
破裂模數 >7.2 MPa的 測量斷裂前的強度
體積密度 >2.22 g/cm³ 坩鍋材料的密度

首次使用前,請清除坩鍋結構中的濕氣以避免熱震。

將空坩鍋加熱至 200°C,持續兩小時,讓水分蒸發。然後在四小時內將溫度升至 600°C,並控制加熱速度為每小時 100°C。這樣可使熱量均勻地分布在整個坩鍋壁上,並阻止內部應力斷裂。

一旦坩鍋達到 600°C,加入預熱和乾燥的原料,以降低突然的熱波動。從這個階段開始,將溫度提高到目標金屬的最終熔點(鋁在 700°C,銅在 1100°C,或銀/金在 1200°C 以上)。

在每個熔解週期後清除殘渣,並每月將坩鍋旋轉 90 度,以達到均勻磨損。

特性與溫度範圍:620-920°C

載入器圖示

我們的坩鍋可降低金屬或低電阻陶瓷材料的渦流損失,減少能源浪費。

在批次一致性和正常運行時間非常重要的工業環境中,熱導率可加快熔化週期,提高效率。此外,坩鍋的機械完整性可避免高感應電流造成的結構變形,以達到長期穩定性。

我們針對感應頻率、線圈幾何形狀和熔煉負荷定制坩鍋。材料的內部微觀結構可降低熱膨脹失配,而熱膨脹失配會在重複加熱和冷卻循環下引發早期失效。與傳統的耐火材料不同,我們的坩堝具有多相複合基質,可在高溫下抵抗快速氧化。這可確保在氬氣保護和開放式氣氛熔化條件下的耐用性。

我們還會調整碳化矽-石墨結構的晶粒取向,以提高導電性和避免局部過熱。因此,我們的坩鍋可提供穩定的熱反應,以降低每個熔解週期的能耗,並在整個製程中保持金屬純度。

節能材料組合

We use a hybrid formulation of silicon carbide, graphite, and high-purity refractory oxides for low resistive heating losses and high mechanical strength. Our crucibles have a bulk density above 2.22 g/cm³, which boosts heat retention and inhibits excessive mass heating. The modulus of rupture exceeds 7.2 MPa for resistance to mechanical and thermal stress. The thermal conductivity of 45 W/mK confirms that heat moves evenly across the crucible to avoid localized hotspots that could cause early degradation. Additionally, the low porosity (<14%) lowers metal contamination risks to preserve precious metal alloys during high-temperature operations.

針對不同金屬類型和感應頻率量身打造

感應爐的工作頻率從 50 Hz 到幾 kHz 不等,視加工的金屬而定。我們的坩鍋可減少低頻應用中的介質損耗,並防止過高的導電性,以免在較高頻率下造成線圈短路。對於低溫鋁合金冶煉 (620-920°C),我們優化了材料,以抵抗鋁與耐火材料表面的腐蝕反應,從而減少污染。對於高溫銅、金和銀熔解 (900-1400°C),我們使用反應結合碳化矽加強坩鍋結構,以抵抗熱震盪和焊劑引起的侵蝕。

熔融溫度範圍:620 - 1400°C

我們所設計的坩鍋可處理各種金屬和精煉技術的相容性。620°C 的最低工作溫度有助於熔化鋁合金和鋅合金而不會造成熱損失。1400°C 的最高臨界溫度則支援需要較高熱穩定性的銅基合金、金、銀和稀有金屬的熔煉。為了承載此範圍,我們的坩鍋具有約 4.5 × 10-⁶ K-¹ 的熱膨脹係數,可避免在快速加熱和冷卻週期中發生結構破裂。這可讓操作人員在不同的金屬負載之間切換,而無需經常更換坩鍋,從而降低閒置時間和工作成本。

XICRU™ 等靜壓碳化矽/碳坩鍋

財產 值/範圍 百分比 注意事項
碳含量 (C) 39-42 坩鍋材料中碳的百分比
碳化矽含量 (SiC) 26-30 材料中碳化矽的百分比
二氧化矽含量 (SiO2) 19-25 材料中二氧化矽的百分比
氧化鋁含量 (Al203) 7-10 材料中氧化鋁的百分比
折射率 <1400 °C 坩鍋可承受的最高溫度
表觀孔隙率 <14.0 孔隙率,表示滲透性
破裂模數 >7.2 MPa的 測量斷裂前的強度
體積密度 >2.22 g/cm³ 坩鍋材料的密度

首次使用前,請清除坩鍋結構中的濕氣以避免熱震。

將空坩鍋加熱至 200°C,持續兩小時,讓水分蒸發。然後在四小時內將溫度升至 600°C,並控制加熱速度為每小時 100°C。這樣可使熱量均勻地分布在整個坩鍋壁上,並阻止內部應力斷裂。

一旦坩鍋達到 600°C,加入預熱和乾燥的原料,以降低突然的熱波動。從這個階段開始,將溫度提高到目標金屬的最終熔點(鋁在 700°C,銅在 1100°C,或銀/金在 1200°C 以上)。

在每個熔解週期後清除殘渣,並每月將坩鍋旋轉 90 度,以達到均勻磨損。

預熱說明

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我們的坩鍋可降低金屬或低電阻陶瓷材料的渦流損失,減少能源浪費。

在批次一致性和正常運行時間非常重要的工業環境中,熱導率可加快熔化週期,提高效率。此外,坩鍋的機械完整性可避免高感應電流造成的結構變形,以達到長期穩定性。

我們針對感應頻率、線圈幾何形狀和熔煉負荷定制坩鍋。材料的內部微觀結構可降低熱膨脹失配,而熱膨脹失配會在重複加熱和冷卻循環下引發早期失效。與傳統的耐火材料不同,我們的坩堝具有多相複合基質,可在高溫下抵抗快速氧化。這可確保在氬氣保護和開放式氣氛熔化條件下的耐用性。

我們還會調整碳化矽-石墨結構的晶粒取向,以提高導電性和避免局部過熱。因此,我們的坩鍋可提供穩定的熱反應,以降低每個熔解週期的能耗,並在整個製程中保持金屬純度。

節能材料組合

We use a hybrid formulation of silicon carbide, graphite, and high-purity refractory oxides for low resistive heating losses and high mechanical strength. Our crucibles have a bulk density above 2.22 g/cm³, which boosts heat retention and inhibits excessive mass heating. The modulus of rupture exceeds 7.2 MPa for resistance to mechanical and thermal stress. The thermal conductivity of 45 W/mK confirms that heat moves evenly across the crucible to avoid localized hotspots that could cause early degradation. Additionally, the low porosity (<14%) lowers metal contamination risks to preserve precious metal alloys during high-temperature operations.

針對不同金屬類型和感應頻率量身打造

感應爐的工作頻率從 50 Hz 到幾 kHz 不等,視加工的金屬而定。我們的坩鍋可減少低頻應用中的介質損耗,並防止過高的導電性,以免在較高頻率下造成線圈短路。對於低溫鋁合金冶煉 (620-920°C),我們優化了材料,以抵抗鋁與耐火材料表面的腐蝕反應,從而減少污染。對於高溫銅、金和銀熔解 (900-1400°C),我們使用反應結合碳化矽加強坩鍋結構,以抵抗熱震盪和焊劑引起的侵蝕。

熔融溫度範圍:620 - 1400°C

我們所設計的坩鍋可處理各種金屬和精煉技術的相容性。620°C 的最低工作溫度有助於熔化鋁合金和鋅合金而不會造成熱損失。1400°C 的最高臨界溫度則支援需要較高熱穩定性的銅基合金、金、銀和稀有金屬的熔煉。為了承載此範圍,我們的坩鍋具有約 4.5 × 10-⁶ K-¹ 的熱膨脹係數,可避免在快速加熱和冷卻週期中發生結構破裂。這可讓操作人員在不同的金屬負載之間切換,而無需經常更換坩鍋,從而降低閒置時間和工作成本。

XICRU™ 等靜壓碳化矽/碳坩鍋

財產 值/範圍 百分比 注意事項
碳含量 (C) 39-42 坩鍋材料中碳的百分比
碳化矽含量 (SiC) 26-30 材料中碳化矽的百分比
二氧化矽含量 (SiO2) 19-25 材料中二氧化矽的百分比
氧化鋁含量 (Al203) 7-10 材料中氧化鋁的百分比
折射率 <1400 °C 坩鍋可承受的最高溫度
表觀孔隙率 <14.0 孔隙率,表示滲透性
破裂模數 >7.2 MPa的 測量斷裂前的強度
體積密度 >2.22 g/cm³ 坩鍋材料的密度

首次使用前,請清除坩鍋結構中的濕氣以避免熱震。

將空坩鍋加熱至 200°C,持續兩小時,讓水分蒸發。然後在四小時內將溫度升至 600°C,並控制加熱速度為每小時 100°C。這樣可使熱量均勻地分布在整個坩鍋壁上,並阻止內部應力斷裂。

一旦坩鍋達到 600°C,加入預熱和乾燥的原料,以降低突然的熱波動。從這個階段開始,將溫度提高到目標金屬的最終熔點(鋁在 700°C,銅在 1100°C,或銀/金在 1200°C 以上)。

在每個熔解週期後清除殘渣,並每月將坩鍋旋轉 90 度,以達到均勻磨損。

XICRU™ 坩鍋尺寸

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我們的坩鍋可降低金屬或低電阻陶瓷材料的渦流損失,減少能源浪費。

在批次一致性和正常運行時間非常重要的工業環境中,熱導率可加快熔化週期,提高效率。此外,坩鍋的機械完整性可避免高感應電流造成的結構變形,以達到長期穩定性。

我們針對感應頻率、線圈幾何形狀和熔煉負荷定制坩鍋。材料的內部微觀結構可降低熱膨脹失配,而熱膨脹失配會在重複加熱和冷卻循環下引發早期失效。與傳統的耐火材料不同,我們的坩堝具有多相複合基質,可在高溫下抵抗快速氧化。這可確保在氬氣保護和開放式氣氛熔化條件下的耐用性。

我們還會調整碳化矽-石墨結構的晶粒取向,以提高導電性和避免局部過熱。因此,我們的坩鍋可提供穩定的熱反應,以降低每個熔解週期的能耗,並在整個製程中保持金屬純度。

節能材料組合

We use a hybrid formulation of silicon carbide, graphite, and high-purity refractory oxides for low resistive heating losses and high mechanical strength. Our crucibles have a bulk density above 2.22 g/cm³, which boosts heat retention and inhibits excessive mass heating. The modulus of rupture exceeds 7.2 MPa for resistance to mechanical and thermal stress. The thermal conductivity of 45 W/mK confirms that heat moves evenly across the crucible to avoid localized hotspots that could cause early degradation. Additionally, the low porosity (<14%) lowers metal contamination risks to preserve precious metal alloys during high-temperature operations.

針對不同金屬類型和感應頻率量身打造

感應爐的工作頻率從 50 Hz 到幾 kHz 不等,視加工的金屬而定。我們的坩鍋可減少低頻應用中的介質損耗,並防止過高的導電性,以免在較高頻率下造成線圈短路。對於低溫鋁合金冶煉 (620-920°C),我們優化了材料,以抵抗鋁與耐火材料表面的腐蝕反應,從而減少污染。對於高溫銅、金和銀熔解 (900-1400°C),我們使用反應結合碳化矽加強坩鍋結構,以抵抗熱震盪和焊劑引起的侵蝕。

熔融溫度範圍:620 - 1400°C

我們所設計的坩鍋可處理各種金屬和精煉技術的相容性。620°C 的最低工作溫度有助於熔化鋁合金和鋅合金而不會造成熱損失。1400°C 的最高臨界溫度則支援需要較高熱穩定性的銅基合金、金、銀和稀有金屬的熔煉。為了承載此範圍,我們的坩鍋具有約 4.5 × 10-⁶ K-¹ 的熱膨脹係數,可避免在快速加熱和冷卻週期中發生結構破裂。這可讓操作人員在不同的金屬負載之間切換,而無需經常更換坩鍋,從而降低閒置時間和工作成本。

XICRU™ 等靜壓碳化矽/碳坩鍋

財產 值/範圍 百分比 注意事項
碳含量 (C) 39-42 坩鍋材料中碳的百分比
碳化矽含量 (SiC) 26-30 材料中碳化矽的百分比
二氧化矽含量 (SiO2) 19-25 材料中二氧化矽的百分比
氧化鋁含量 (Al203) 7-10 材料中氧化鋁的百分比
折射率 <1400 °C 坩鍋可承受的最高溫度
表觀孔隙率 <14.0 孔隙率,表示滲透性
破裂模數 >7.2 MPa的 測量斷裂前的強度
體積密度 >2.22 g/cm³ 坩鍋材料的密度

首次使用前,請清除坩鍋結構中的濕氣以避免熱震。

將空坩鍋加熱至 200°C,持續兩小時,讓水分蒸發。然後在四小時內將溫度升至 600°C,並控制加熱速度為每小時 100°C。這樣可使熱量均勻地分布在整個坩鍋壁上,並阻止內部應力斷裂。

一旦坩鍋達到 600°C,加入預熱和乾燥的原料,以降低突然的熱波動。從這個階段開始,將溫度提高到目標金屬的最終熔點(鋁在 700°C,銅在 1100°C,或銀/金在 1200°C 以上)。

在每個熔解週期後清除殘渣,並每月將坩鍋旋轉 90 度,以達到均勻磨損。

產品說明

載入器圖示

我們的坩鍋可降低金屬或低電阻陶瓷材料的渦流損失,減少能源浪費。

在批次一致性和正常運行時間非常重要的工業環境中,熱導率可加快熔化週期,提高效率。此外,坩鍋的機械完整性可避免高感應電流造成的結構變形,以達到長期穩定性。

我們針對感應頻率、線圈幾何形狀和熔煉負荷定制坩鍋。材料的內部微觀結構可降低熱膨脹失配,而熱膨脹失配會在重複加熱和冷卻循環下引發早期失效。與傳統的耐火材料不同,我們的坩堝具有多相複合基質,可在高溫下抵抗快速氧化。這可確保在氬氣保護和開放式氣氛熔化條件下的耐用性。

我們還會調整碳化矽-石墨結構的晶粒取向,以提高導電性和避免局部過熱。因此,我們的坩鍋可提供穩定的熱反應,以降低每個熔解週期的能耗,並在整個製程中保持金屬純度。

節能材料組合

We use a hybrid formulation of silicon carbide, graphite, and high-purity refractory oxides for low resistive heating losses and high mechanical strength. Our crucibles have a bulk density above 2.22 g/cm³, which boosts heat retention and inhibits excessive mass heating. The modulus of rupture exceeds 7.2 MPa for resistance to mechanical and thermal stress. The thermal conductivity of 45 W/mK confirms that heat moves evenly across the crucible to avoid localized hotspots that could cause early degradation. Additionally, the low porosity (<14%) lowers metal contamination risks to preserve precious metal alloys during high-temperature operations.

針對不同金屬類型和感應頻率量身打造

感應爐的工作頻率從 50 Hz 到幾 kHz 不等,視加工的金屬而定。我們的坩鍋可減少低頻應用中的介質損耗,並防止過高的導電性,以免在較高頻率下造成線圈短路。對於低溫鋁合金冶煉 (620-920°C),我們優化了材料,以抵抗鋁與耐火材料表面的腐蝕反應,從而減少污染。對於高溫銅、金和銀熔解 (900-1400°C),我們使用反應結合碳化矽加強坩鍋結構,以抵抗熱震盪和焊劑引起的侵蝕。

熔融溫度範圍:620 - 1400°C

我們所設計的坩鍋可處理各種金屬和精煉技術的相容性。620°C 的最低工作溫度有助於熔化鋁合金和鋅合金而不會造成熱損失。1400°C 的最高臨界溫度則支援需要較高熱穩定性的銅基合金、金、銀和稀有金屬的熔煉。為了承載此範圍,我們的坩鍋具有約 4.5 × 10-⁶ K-¹ 的熱膨脹係數,可避免在快速加熱和冷卻週期中發生結構破裂。這可讓操作人員在不同的金屬負載之間切換,而無需經常更換坩鍋,從而降低閒置時間和工作成本。

XICRU™ 等靜壓碳化矽/碳坩鍋

財產 值/範圍 百分比 注意事項
碳含量 (C) 39-42 坩鍋材料中碳的百分比
碳化矽含量 (SiC) 26-30 材料中碳化矽的百分比
二氧化矽含量 (SiO2) 19-25 材料中二氧化矽的百分比
氧化鋁含量 (Al203) 7-10 材料中氧化鋁的百分比
折射率 <1400 °C 坩鍋可承受的最高溫度
表觀孔隙率 <14.0 孔隙率,表示滲透性
破裂模數 >7.2 MPa的 測量斷裂前的強度
體積密度 >2.22 g/cm³ 坩鍋材料的密度

首次使用前,請清除坩鍋結構中的濕氣以避免熱震。

將空坩鍋加熱至 200°C,持續兩小時,讓水分蒸發。然後在四小時內將溫度升至 600°C,並控制加熱速度為每小時 100°C。這樣可使熱量均勻地分布在整個坩鍋壁上,並阻止內部應力斷裂。

一旦坩鍋達到 600°C,加入預熱和乾燥的原料,以降低突然的熱波動。從這個階段開始,將溫度提高到目標金屬的最終熔點(鋁在 700°C,銅在 1100°C,或銀/金在 1200°C 以上)。

在每個熔解週期後清除殘渣,並每月將坩鍋旋轉 90 度,以達到均勻磨損。

XICAR™ 數據表

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我們的坩鍋可降低金屬或低電阻陶瓷材料的渦流損失,減少能源浪費。

在批次一致性和正常運行時間非常重要的工業環境中,熱導率可加快熔化週期,提高效率。此外,坩鍋的機械完整性可避免高感應電流造成的結構變形,以達到長期穩定性。

我們針對感應頻率、線圈幾何形狀和熔煉負荷定制坩鍋。材料的內部微觀結構可降低熱膨脹失配,而熱膨脹失配會在重複加熱和冷卻循環下引發早期失效。與傳統的耐火材料不同,我們的坩堝具有多相複合基質,可在高溫下抵抗快速氧化。這可確保在氬氣保護和開放式氣氛熔化條件下的耐用性。

我們還會調整碳化矽-石墨結構的晶粒取向,以提高導電性和避免局部過熱。因此,我們的坩鍋可提供穩定的熱反應,以降低每個熔解週期的能耗,並在整個製程中保持金屬純度。

節能材料組合

We use a hybrid formulation of silicon carbide, graphite, and high-purity refractory oxides for low resistive heating losses and high mechanical strength. Our crucibles have a bulk density above 2.22 g/cm³, which boosts heat retention and inhibits excessive mass heating. The modulus of rupture exceeds 7.2 MPa for resistance to mechanical and thermal stress. The thermal conductivity of 45 W/mK confirms that heat moves evenly across the crucible to avoid localized hotspots that could cause early degradation. Additionally, the low porosity (<14%) lowers metal contamination risks to preserve precious metal alloys during high-temperature operations.

針對不同金屬類型和感應頻率量身打造

感應爐的工作頻率從 50 Hz 到幾 kHz 不等,視加工的金屬而定。我們的坩鍋可減少低頻應用中的介質損耗,並防止過高的導電性,以免在較高頻率下造成線圈短路。對於低溫鋁合金冶煉 (620-920°C),我們優化了材料,以抵抗鋁與耐火材料表面的腐蝕反應,從而減少污染。對於高溫銅、金和銀熔解 (900-1400°C),我們使用反應結合碳化矽加強坩鍋結構,以抵抗熱震盪和焊劑引起的侵蝕。

熔融溫度範圍:620 - 1400°C

我們所設計的坩鍋可處理各種金屬和精煉技術的相容性。620°C 的最低工作溫度有助於熔化鋁合金和鋅合金而不會造成熱損失。1400°C 的最高臨界溫度則支援需要較高熱穩定性的銅基合金、金、銀和稀有金屬的熔煉。為了承載此範圍,我們的坩鍋具有約 4.5 × 10-⁶ K-¹ 的熱膨脹係數,可避免在快速加熱和冷卻週期中發生結構破裂。這可讓操作人員在不同的金屬負載之間切換,而無需經常更換坩鍋,從而降低閒置時間和工作成本。

XICRU™ 等靜壓碳化矽/碳坩鍋

財產 值/範圍 百分比 注意事項
碳含量 (C) 39-42 坩鍋材料中碳的百分比
碳化矽含量 (SiC) 26-30 材料中碳化矽的百分比
二氧化矽含量 (SiO2) 19-25 材料中二氧化矽的百分比
氧化鋁含量 (Al203) 7-10 材料中氧化鋁的百分比
折射率 <1400 °C 坩鍋可承受的最高溫度
表觀孔隙率 <14.0 孔隙率,表示滲透性
破裂模數 >7.2 MPa的 測量斷裂前的強度
體積密度 >2.22 g/cm³ 坩鍋材料的密度

首次使用前,請清除坩鍋結構中的濕氣以避免熱震。

將空坩鍋加熱至 200°C,持續兩小時,讓水分蒸發。然後在四小時內將溫度升至 600°C,並控制加熱速度為每小時 100°C。這樣可使熱量均勻地分布在整個坩鍋壁上,並阻止內部應力斷裂。

一旦坩鍋達到 600°C,加入預熱和乾燥的原料,以降低突然的熱波動。從這個階段開始,將溫度提高到目標金屬的最終熔點(鋁在 700°C,銅在 1100°C,或銀/金在 1200°C 以上)。

在每個熔解週期後清除殘渣,並每月將坩鍋旋轉 90 度,以達到均勻磨損。

XICAR® 耐腐蝕性

載入器圖示

我們的坩鍋可降低金屬或低電阻陶瓷材料的渦流損失,減少能源浪費。

在批次一致性和正常運行時間非常重要的工業環境中,熱導率可加快熔化週期,提高效率。此外,坩鍋的機械完整性可避免高感應電流造成的結構變形,以達到長期穩定性。

我們針對感應頻率、線圈幾何形狀和熔煉負荷定制坩鍋。材料的內部微觀結構可降低熱膨脹失配,而熱膨脹失配會在重複加熱和冷卻循環下引發早期失效。與傳統的耐火材料不同,我們的坩堝具有多相複合基質,可在高溫下抵抗快速氧化。這可確保在氬氣保護和開放式氣氛熔化條件下的耐用性。

我們還會調整碳化矽-石墨結構的晶粒取向,以提高導電性和避免局部過熱。因此,我們的坩鍋可提供穩定的熱反應,以降低每個熔解週期的能耗,並在整個製程中保持金屬純度。

節能材料組合

We use a hybrid formulation of silicon carbide, graphite, and high-purity refractory oxides for low resistive heating losses and high mechanical strength. Our crucibles have a bulk density above 2.22 g/cm³, which boosts heat retention and inhibits excessive mass heating. The modulus of rupture exceeds 7.2 MPa for resistance to mechanical and thermal stress. The thermal conductivity of 45 W/mK confirms that heat moves evenly across the crucible to avoid localized hotspots that could cause early degradation. Additionally, the low porosity (<14%) lowers metal contamination risks to preserve precious metal alloys during high-temperature operations.

針對不同金屬類型和感應頻率量身打造

感應爐的工作頻率從 50 Hz 到幾 kHz 不等,視加工的金屬而定。我們的坩鍋可減少低頻應用中的介質損耗,並防止過高的導電性,以免在較高頻率下造成線圈短路。對於低溫鋁合金冶煉 (620-920°C),我們優化了材料,以抵抗鋁與耐火材料表面的腐蝕反應,從而減少污染。對於高溫銅、金和銀熔解 (900-1400°C),我們使用反應結合碳化矽加強坩鍋結構,以抵抗熱震盪和焊劑引起的侵蝕。

熔融溫度範圍:620 - 1400°C

我們所設計的坩鍋可處理各種金屬和精煉技術的相容性。620°C 的最低工作溫度有助於熔化鋁合金和鋅合金而不會造成熱損失。1400°C 的最高臨界溫度則支援需要較高熱穩定性的銅基合金、金、銀和稀有金屬的熔煉。為了承載此範圍,我們的坩鍋具有約 4.5 × 10-⁶ K-¹ 的熱膨脹係數,可避免在快速加熱和冷卻週期中發生結構破裂。這可讓操作人員在不同的金屬負載之間切換,而無需經常更換坩鍋,從而降低閒置時間和工作成本。

XICRU™ 等靜壓碳化矽/碳坩鍋

財產 值/範圍 百分比 注意事項
碳含量 (C) 39-42 坩鍋材料中碳的百分比
碳化矽含量 (SiC) 26-30 材料中碳化矽的百分比
二氧化矽含量 (SiO2) 19-25 材料中二氧化矽的百分比
氧化鋁含量 (Al203) 7-10 材料中氧化鋁的百分比
折射率 <1400 °C 坩鍋可承受的最高溫度
表觀孔隙率 <14.0 孔隙率,表示滲透性
破裂模數 >7.2 MPa的 測量斷裂前的強度
體積密度 >2.22 g/cm³ 坩鍋材料的密度

首次使用前,請清除坩鍋結構中的濕氣以避免熱震。

將空坩鍋加熱至 200°C,持續兩小時,讓水分蒸發。然後在四小時內將溫度升至 600°C,並控制加熱速度為每小時 100°C。這樣可使熱量均勻地分布在整個坩鍋壁上,並阻止內部應力斷裂。

一旦坩鍋達到 600°C,加入預熱和乾燥的原料,以降低突然的熱波動。從這個階段開始,將溫度提高到目標金屬的最終熔點(鋁在 700°C,銅在 1100°C,或銀/金在 1200°C 以上)。

在每個熔解週期後清除殘渣,並每月將坩鍋旋轉 90 度,以達到均勻磨損。

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